HBM3와 HBM3E

HBM(High Bandwidth Memory)은 고성능 컴퓨팅을 위해 개발된 메모리 기술로,

데이터 처리 속도와 용량을 향상시키기 위해 지속적으로 발전하고 있습니다.

그 중에서도 HBM3와 HBM3E는 최신 세대로서 각각의 특징과 차이점을 가지고 있습니다.

 

HBM3 (High Bandwidth Memory 3)

• 데이터 전송 속도: 핀당 5.6~6.4Gbps의 속도를 지원합니다.
• 대역폭: 스택당 최대 819GB/s의 대역폭을 제공합니다.
• 용량: 스택당 최대 24GB까지 지원합니다.
• 적층 단수: 일반적으로 8단 적층 구조를 사용합니다.

 

HBM3E (High Bandwidth Memory 3 Extended)

• 데이터 전송 속도: 핀당 최대 8Gbps로, HBM3 대비 향상된 속도를 제공합니다.
• 대역폭: 스택당 최대 1,280GB/s로, HBM3 대비 50% 이상 향상된 성능을 보입니다.
• 용량: 스택당 최대 36GB까지 지원하며, 이는 HBM3보다 더 큰 용량입니다.
• 적층 단수: 최대 12단 적층이 가능하며, 이를 통해 용량과 성능이 향상됩니다.

 

주요 차이점

• 성능 향상: HBM3E는 HBM3 대비 데이터 전송 속도와 대역폭이 크게 향상되어, 고성능 컴퓨팅 환경에서 더욱 효율적인 데이터 처리가 가능합니다.
• 용량 증가: HBM3E는 최대 36GB의 용량을 제공하여, 대규모 데이터 처리에 유리합니다.
• 적용 분야: HBM3E는 AI, 머신러닝, 고성능 그래픽 처리 등 높은 데이터 처리량이 요구되는 분야에서 주로 사용됩니다.

이러한 발전을 통해 HBM3E는 HBM3에 비해 성능과 용량 면에서 우수하며,

최신 기술 트렌드에 부응하는 고성능 메모리 솔루션으로 자리매김하고 있습니다.